SI6913DQ-T1-E3 Preços (USD) [85512pcs Estoque]
- 1 pcs$0.45726
- 3,000 pcs$0.42841
- Número da peça:
- SI6913DQ-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI6913DQ-T1-E3 electronic components. SI6913DQ-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI6913DQ-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI6913DQ-T1-E3 Atributos do produto
Número da peça :
SI6913DQ-T1-E3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
21 mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 400µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
28nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Potência - Max :
830mW
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-TSSOP
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