Número da peça :
IPB80N06S207ATMA4
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.3 mOhm @ 68A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 180µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
110nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3400pF @ 25V
Dissipação de energia (máx.) :
250W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO263-3-2
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB