IPAN70R360P7SXKSA1 Preços (USD) [125235pcs Estoque]
- 1 pcs$0.30322
- 500 pcs$0.30171
- Número da peça:
- IPAN70R360P7SXKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
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IPAN70R360P7SXKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPAN70R360P7SXKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
Series :
CoolMOS™ P7
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
700V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
12.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
360 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 150µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
16.4nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
517pF @ 400V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
26.5W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220 Full Pack
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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