IXTH200N10T Preços (USD) [14773pcs Estoque]
- 1 pcs$3.06727
- 10 pcs$2.75966
- 100 pcs$2.26899
- 500 pcs$1.90103
- 1,000 pcs$1.65573
- Número da peça:
- IXTH200N10T
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 200A TO-247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Single, Módulos de driver de energia, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTH200N10T electronic components. IXTH200N10T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH200N10T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTH200N10T Atributos do produto
Número da peça :
IXTH200N10T
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 200A TO-247
Series :
TrenchMV™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
200A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
152nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
9400pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
550W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247 (IXTH)
Pacote / caso :
TO-247-3
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