STMicroelectronics - STD13N60M2

KEY Part #: K6415705

STD13N60M2 Preços (USD) [73465pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.53224
  • 2,500 pcs$0.47187

Número da peça:
STD13N60M2
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Matrizes, Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD13N60M2 Atributos do produto

Número da peça : STD13N60M2
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Series : MDmesh™ II Plus
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 580pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 110W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DPAK
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63