ON Semiconductor - FQD13N10TM

KEY Part #: K6392655

FQD13N10TM Preços (USD) [346734pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.10721
  • 2,500 pcs$0.10667

Número da peça:
FQD13N10TM
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - JFETs and Transistores - Propósito Específico ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQD13N10TM Atributos do produto

Número da peça : FQD13N10TM
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Series : QFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 450pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-Pak
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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