[2019pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRF1902GPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - TRIACs and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF1902GPBF electronic components. IRF1902GPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF1902GPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF1902GPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRF1902GPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
85 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
7.5nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
310pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
-
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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