T2N7002BK,LM Preços (USD) [3334097pcs Estoque]
- 1 pcs$0.01227
- 3,000 pcs$0.01221
- Número da peça:
- T2N7002BK,LM
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 0.4A SOT23.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
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T2N7002BK,LM Atributos do produto
Número da peça :
T2N7002BK,LM
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 0.4A SOT23
Series :
U-MOSVII-H
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
400mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
0.6nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
40pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
320mW (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-23-3
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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