Toshiba Semiconductor and Storage - TPH6400ENH,L1Q

KEY Part #: K6416895

TPH6400ENH,L1Q Preços (USD) [131756pcs Estoque]

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Número da peça:
TPH6400ENH,L1Q
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPH6400ENH,L1Q Atributos do produto

Número da peça : TPH6400ENH,L1Q
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP
Series : U-MOSVIII-H
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 13A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 64 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 300µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 11.2nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOP Advance (5x5)
Pacote / caso : 8-PowerVDFN

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