Número da peça :
TPH6400ENH,L1Q
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
13A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
64 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 300µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
11.2nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1100pF @ 100V
Dissipação de energia (máx.) :
1.6W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SOP Advance (5x5)
Pacote / caso :
8-PowerVDFN