IXFB110N60P3 Preços (USD) [5131pcs Estoque]
- 1 pcs$9.70613
- 10 pcs$8.82309
- 100 pcs$7.13379
- Número da peça:
- IXFB110N60P3
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - TRIACs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFB110N60P3 electronic components. IXFB110N60P3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFB110N60P3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFB110N60P3 Atributos do produto
Número da peça :
IXFB110N60P3
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
Series :
HiPerFET™, Polar3™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
110A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
56 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
245nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
18000pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1890W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PLUS264™
Pacote / caso :
TO-264-3, TO-264AA
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