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  5. APT23F60B

Microsemi Corporation - APT23F60B

KEY Part #: K6408983

APT23F60B Preços (USD) [438pcs Estoque]

  • 120 pcs$2.41496
Número da peça:
APT23F60B
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 23A TO-247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - JFETs, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Single, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Matrizes and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation APT23F60B electronic components. APT23F60B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT23F60B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT23F60B Atributos do produto

Número da peça : APT23F60B
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : MOSFET N-CH 600V 23A TO-247
Series : POWER MOS 8™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 24A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 290 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4415pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 415W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247 [B]
Pacote / caso : TO-247-3

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