[3278pcs Estoque]
- Número da peça:
- IXTD4N80P-3J
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de driver de energia, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTD4N80P-3J electronic components. IXTD4N80P-3J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTD4N80P-3J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTD4N80P-3J Atributos do produto
Número da peça :
IXTD4N80P-3J
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 800
Series :
PolarHV™
Status da Peça :
Last Time Buy
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.4 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
14.2nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
750pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
100W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Die
Pacote / caso :
Die
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