[12477pcs Estoque]
- Número da peça:
- PSMN023-80LS,115
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 80V 34A QFN3333.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Propósito Específico and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in NXP USA Inc. PSMN023-80LS,115 electronic components. PSMN023-80LS,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN023-80LS,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PSMN023-80LS,115 Atributos do produto
Número da peça :
PSMN023-80LS,115
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 80V 34A QFN3333
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
34A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
21nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1295pF @ 40V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
65W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-DFN3333 (3.3x3.3)
Pacote / caso :
8-VDFN Exposed Pad
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