Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2301BCX RFG

KEY Part #: K6416322

[12105pcs Estoque]


    Número da peça:
    TSM2301BCX RFG
    Fabricante:
    Taiwan Semiconductor Corporation
    Descrição detalhada:
    MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TSM2301BCX RFG Atributos do produto

    Número da peça : TSM2301BCX RFG
    Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
    Descrição : MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : P-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.8A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2.8A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 4.5nC @ 4.5V
    Vgs (máx.) : ±8V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 415pF @ 6V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 900mW (Ta)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23
    Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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