[12105pcs Estoque]
- Número da peça:
- TSM2301BCX RFG
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM2301BCX RFG electronic components. TSM2301BCX RFG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM2301BCX RFG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TSM2301BCX RFG Atributos do produto
Número da peça :
TSM2301BCX RFG
Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição :
MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
950mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
4.5nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
415pF @ 6V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
900mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-23
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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