[13413pcs Estoque]
- Número da peça:
- 2N6849
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - TRIACs and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Microsemi Corporation 2N6849 electronic components. 2N6849 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2N6849, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
2N6849 Atributos do produto
Número da peça :
2N6849
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
320 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
34.8nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
800mW (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-39
Pacote / caso :
TO-205AF Metal Can
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