DMTH10H025SK3-13 Preços (USD) [321611pcs Estoque]
- 1 pcs$0.11501
- Número da peça:
- DMTH10H025SK3-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET BVDSS 61V-100V TO252 TR.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMTH10H025SK3-13 electronic components. DMTH10H025SK3-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMTH10H025SK3-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMTH10H025SK3-13 Atributos do produto
Número da peça :
DMTH10H025SK3-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET BVDSS 61V-100V TO252 TR
Series :
Automotive, AEC-Q101
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
46.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
21.4nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1544pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252, (D-Pak)
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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