IAUT300N08S5N012ATMA2 Preços (USD) [25281pcs Estoque]
- 1 pcs$1.63021
- 2,000 pcs$1.34855
- Número da peça:
- IAUT300N08S5N012ATMA2
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 75V 120V 8HSOF.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - JFETs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IAUT300N08S5N012ATMA2 electronic components. IAUT300N08S5N012ATMA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IAUT300N08S5N012ATMA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IAUT300N08S5N012ATMA2 Atributos do produto
Número da peça :
IAUT300N08S5N012ATMA2
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 75V 120V 8HSOF
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
300A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 275µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
231nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
16250pF @ 40V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
375W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-HSOF-8-1
Pacote / caso :
8-PowerSFN
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