ON Semiconductor - NDD02N40T4G

KEY Part #: K6402265

NDD02N40T4G Preços (USD) [2764pcs Estoque]

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Número da peça:
NDD02N40T4G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - JFETs and Transistores - Propósito Específico ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NDD02N40T4G Atributos do produto

Número da peça : NDD02N40T4G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 400V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 Ohm @ 220mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 5.5nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 121pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 39W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DPAK
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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