STMicroelectronics - STH130N10F3-2

KEY Part #: K6393934

STH130N10F3-2 Preços (USD) [45319pcs Estoque]

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  • 1,000 pcs$0.86279

Número da peça:
STH130N10F3-2
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - Propósito Específico and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STH130N10F3-2 Atributos do produto

Número da peça : STH130N10F3-2
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2
Series : STripFET™ III
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.3 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 57nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3305pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 250W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : H2Pak-2
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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