[2597pcs Estoque]
- Número da peça:
- IPD80R2K8CEBTMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - JFETs and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPD80R2K8CEBTMA1 electronic components. IPD80R2K8CEBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD80R2K8CEBTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPD80R2K8CEBTMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPD80R2K8CEBTMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.8 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 120µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
290pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
42W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252-3
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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