DMN53D0L-13 Preços (USD) [1711278pcs Estoque]
- 1 pcs$0.02161
- 10,000 pcs$0.01953
- Número da peça:
- DMN53D0L-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN53D0L-13 electronic components. DMN53D0L-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN53D0L-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN53D0L-13 Atributos do produto
Número da peça :
DMN53D0L-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
50V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
500mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
0.6nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
46pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
370mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-23
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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