ON Semiconductor - NDF03N60ZG

KEY Part #: K6406497

[1299pcs Estoque]


    Número da peça:
    NDF03N60ZG
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FP.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - DIACs, SIDACs and Tiristores - SCRs ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in ON Semiconductor NDF03N60ZG electronic components. NDF03N60ZG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NDF03N60ZG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NDF03N60ZG Atributos do produto

    Número da peça : NDF03N60ZG
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrição : MOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FP
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.1A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±30V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 372pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 27W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220FP
    Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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