[174pcs Estoque]
- Número da peça:
- SPB10N10 G
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies SPB10N10 G electronic components. SPB10N10 G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPB10N10 G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SPB10N10 G Atributos do produto
Número da peça :
SPB10N10 G
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
Series :
SIPMOS®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
170 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 21µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
19.4nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
426pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
50W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO263-3-2
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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