FQU9N25TU Preços (USD) [63190pcs Estoque]
- 1 pcs$0.61879
- 5,040 pcs$0.25153
- Número da peça:
- FQU9N25TU
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
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FQU9N25TU Atributos do produto
Número da peça :
FQU9N25TU
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK
Series :
QFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
7.4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
420 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
700pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
I-PAK
Pacote / caso :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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