GeneSiC Semiconductor - GA04JT17-247

KEY Part #: K6397545

GA04JT17-247 Preços (USD) [2763pcs Estoque]

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  • 10 pcs$13.67754
  • 25 pcs$12.56877
  • 100 pcs$11.68146
  • 250 pcs$10.72035

Número da peça:
GA04JT17-247
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - JFETs and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA04JT17-247 Atributos do produto

Número da peça : GA04JT17-247
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : -
Tecnologia : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1700V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc) (95°C)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 480 mOhm @ 4A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 106W (Tc)
Temperatura de operação : 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247AB
Pacote / caso : TO-247-3