Vishay Siliconix - IRF710PBF

KEY Part #: K6399896

IRF710PBF Preços (USD) [96413pcs Estoque]

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  • 500 pcs$0.19751
  • 1,000 pcs$0.15801

Número da peça:
IRF710PBF
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF710PBF Atributos do produto

Número da peça : IRF710PBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 400V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 170pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 36W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB
Pacote / caso : TO-220-3

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