FCP11N60F Preços (USD) [24872pcs Estoque]
- 1 pcs$1.62618
- 10 pcs$1.45255
- 100 pcs$1.19104
- 500 pcs$0.91500
- 1,000 pcs$0.77168
- Número da peça:
- FCP11N60F
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 11A TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
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FCP11N60F Atributos do produto
Número da peça :
FCP11N60F
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
Series :
SuperFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
380 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
52nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1490pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
125W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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