[30530pcs Estoque]
- Número da peça:
- ZXMN6A09KTC
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Single and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated ZXMN6A09KTC electronic components. ZXMN6A09KTC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN6A09KTC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZXMN6A09KTC Atributos do produto
Número da peça :
ZXMN6A09KTC
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK
Series :
-
Status da Peça :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
7.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
29nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1426pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.15W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252-3
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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