Nexperia USA Inc. - PSMN2R2-25YLC,115

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PSMN2R2-25YLC,115 Preços (USD) [230830pcs Estoque]

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Número da peça:
PSMN2R2-25YLC,115
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - RF and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN2R2-25YLC,115 Atributos do produto

Número da peça : PSMN2R2-25YLC,115
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.95V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2542pF @ 12V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 106W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : LFPAK56, Power-SO8
Pacote / caso : SC-100, SOT-669