HUF75639G3 Preços (USD) [28512pcs Estoque]
- 1 pcs$1.44550
- Número da peça:
- HUF75639G3
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 56A TO-247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Módulos de driver de energia and Diodos - Zener - Single ...
- Vantagem competitiva:
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HUF75639G3 Atributos do produto
Número da peça :
HUF75639G3
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 56A TO-247
Series :
UltraFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
56A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 56A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
130nC @ 20V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2000pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
200W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247
Pacote / caso :
TO-247-3
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