DMN6013LFG-7 Preços (USD) [280112pcs Estoque]
- 1 pcs$0.13205
- 2,000 pcs$0.11733
- Número da peça:
- DMN6013LFG-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Módulos de driver de energia, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN6013LFG-7 electronic components. DMN6013LFG-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN6013LFG-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN6013LFG-7 Atributos do produto
Número da peça :
DMN6013LFG-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10.3A (Ta), 45A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
55.4nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2577pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerDI3333-8
Pacote / caso :
8-PowerWDFN
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