SQD40N06-14L_GE3 Preços (USD) [113470pcs Estoque]
- 1 pcs$0.32596
- 2,000 pcs$0.30423
- Número da peça:
- SQD40N06-14L_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 40A.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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SQD40N06-14L_GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SQD40N06-14L_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 40A
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
40A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
51nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2105pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
75W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252AA
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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