Vishay Siliconix - SI3473DDV-T1-GE3

KEY Part #: K6421467

SI3473DDV-T1-GE3 Preços (USD) [586266pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.06309

Número da peça:
SI3473DDV-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - TRIACs, Módulos de driver de energia and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SI3473DDV-T1-GE3 electronic components. SI3473DDV-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3473DDV-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3473DDV-T1-GE3 Atributos do produto

Número da peça : SI3473DDV-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Series : TrenchFET® Gen III
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17.8 mOhm @ 8.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 57nC @ 8V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1975pF @ 6V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.6W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 6-TSOP
Pacote / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6