Infineon Technologies - IRF2807SPBF

KEY Part #: K6411971

IRF2807SPBF Preços (USD) [13606pcs Estoque]

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Número da peça:
IRF2807SPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - Propósito Específico, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF2807SPBF Atributos do produto

Número da peça : IRF2807SPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Series : HEXFET®
Status da Peça : Discontinued at Digi-Key
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 75V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 82A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 43A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 160nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3820pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 230W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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