Infineon Technologies - BSS816NW L6327

KEY Part #: K6406685

[1233pcs Estoque]


    Número da peça:
    BSS816NW L6327
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - RF, Tiristores - TRIACs and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Infineon Technologies BSS816NW L6327 electronic components. BSS816NW L6327 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSS816NW L6327, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSS816NW L6327 Atributos do produto

    Número da peça : BSS816NW L6327
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrição : MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323
    Series : OptiMOS™
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.4A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 2.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 1.4A, 2.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 750mV @ 3.7µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.6nC @ 2.5V
    Vgs (máx.) : ±8V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 180pF @ 10V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 500mW (Ta)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-SOT323-3
    Pacote / caso : SC-70, SOT-323

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