[12345pcs Estoque]
- Número da peça:
- STB12NM60N-1
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in STMicroelectronics STB12NM60N-1 electronic components. STB12NM60N-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB12NM60N-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STB12NM60N-1 Atributos do produto
Número da peça :
STB12NM60N-1
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Series :
MDmesh™ II
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
410 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
30.5nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
960pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
90W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
I2PAK
Pacote / caso :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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