[12784pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRFI9530N
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 100V 7.7A TO-220FP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFI9530N electronic components. IRFI9530N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFI9530N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFI9530N Atributos do produto
Número da peça :
IRFI9530N
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET P-CH 100V 7.7A TO-220FP
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
7.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
300 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs (máx.) :
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
860pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
-
Temperatura de operação :
-
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB Full-Pak
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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