Se a sua localização não estiver listada, selecione uma das seguintes opções:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Se a sua localização não estiver listada, selecione uma das seguintes opções:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Página inicial
  2. Produtos
  3. Produtos de semicondutores discretos
  4. Transistores - FETs, MOSFETs - Single
  5. GA06JT12-247

GeneSiC Semiconductor - GA06JT12-247

KEY Part #: K6412611

GA06JT12-247 Preços (USD) [13386pcs Estoque]

  • 1,260 pcs$4.76672
Número da peça:
GA06JT12-247
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - TRIACs, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GA06JT12-247 electronic components. GA06JT12-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA06JT12-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA06JT12-247 Atributos do produto

Número da peça : GA06JT12-247
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : -
Tecnologia : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc) (90°C)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 220 mOhm @ 6A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : -
Temperatura de operação : 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247AB
Pacote / caso : TO-247-3
Você também pode estar interessado em
  • IRFS7437-7PPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN.

  • AUIRLS3114Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 42A D2PAK.

  • IRFR825PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.

  • IRLR3714ZTRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 20V 37A DPAK.

  • IRLR4343

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 26A DPAK.

  • NDF10N60ZH

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP.

Peças Quentes