SSM3J334R,LF Preços (USD) [1169017pcs Estoque]
- 1 pcs$0.03498
- 3,000 pcs$0.03480
- Número da peça:
- SSM3J334R,LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET P CH 30V 4A SOT-23F.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
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SSM3J334R,LF Atributos do produto
Número da peça :
SSM3J334R,LF
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET P CH 30V 4A SOT-23F
Series :
U-MOSVI
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
71 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
5.9nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
280pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1W (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-23F
Pacote / caso :
SOT-23-3 Flat Leads
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