DMN62D1LFD-13 Preços (USD) [1262267pcs Estoque]
- 1 pcs$0.02930
- 10,000 pcs$0.02631
- Número da peça:
- DMN62D1LFD-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos - Zener - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN62D1LFD-13 electronic components. DMN62D1LFD-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN62D1LFD-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN62D1LFD-13 Atributos do produto
Número da peça :
DMN62D1LFD-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
400mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 100mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
0.55nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
36pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
500mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
X1-DFN1212-3
Pacote / caso :
3-UDFN
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