FDFM2N111 Preços (USD) [233932pcs Estoque]
- 1 pcs$0.15890
- 3,000 pcs$0.15811
- Número da peça:
- FDFM2N111
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDFM2N111 electronic components. FDFM2N111 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDFM2N111, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDFM2N111 Atributos do produto
Número da peça :
FDFM2N111
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
3.8nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
273pF @ 10V
Recurso FET :
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.) :
1.7W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
MicroFET 3x3mm
Pacote / caso :
6-WDFN Exposed Pad
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