TPN22006NH,LQ Preços (USD) [293170pcs Estoque]
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- 3,000 pcs$0.13878
- Número da peça:
- TPN22006NH,LQ
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
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- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
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TPN22006NH,LQ Atributos do produto
Número da peça :
TPN22006NH,LQ
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
Series :
U-MOSVIII-H
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
710pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
700mW (Ta), 18W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
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