IXTP130N10T Preços (USD) [32813pcs Estoque]
- 1 pcs$1.38380
- 10 pcs$1.24894
- 100 pcs$0.95201
- 500 pcs$0.74046
- 1,000 pcs$0.61352
- Número da peça:
- IXTP130N10T
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 130A TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
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IXTP130N10T Atributos do produto
Número da peça :
IXTP130N10T
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 130A TO-220
Series :
TrenchMV™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
130A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.1 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
104nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5080pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
360W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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