RQ3E130BNTB Preços (USD) [636850pcs Estoque]
- 1 pcs$0.06421
- 3,000 pcs$0.06389
- Número da peça:
- RQ3E130BNTB
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor RQ3E130BNTB electronic components. RQ3E130BNTB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RQ3E130BNTB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RQ3E130BNTB Atributos do produto
Número da peça :
RQ3E130BNTB
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
13A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
36nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1900pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2W (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-HSMT (3.2x3)
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
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