IXYS - IXFP10N60P

KEY Part #: K6394822

IXFP10N60P Preços (USD) [41564pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.08728
  • 50 pcs$1.08188

Número da peça:
IXFP10N60P
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFP10N60P Atributos do produto

Número da peça : IXFP10N60P
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
Series : HiPerFET™, PolarP2™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 740 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1610pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 200W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB
Pacote / caso : TO-220-3