Sanken - GKI10526

KEY Part #: K6393350

GKI10526 Preços (USD) [371115pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.10231
  • 15,000 pcs$0.10180

Número da peça:
GKI10526
Fabricante:
Sanken
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 4A 8DFN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Módulos de driver de energia and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GKI10526 Atributos do produto

Número da peça : GKI10526
Fabricante : Sanken
Descrição : MOSFET N-CH 100V 4A 8DFN
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 47.7 mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 350µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1530pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-DFN (5x6)
Pacote / caso : 8-PowerTDFN