Infineon Technologies - IRLL024ZTRPBF

KEY Part #: K6417474

IRLL024ZTRPBF Preços (USD) [299382pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.12355
  • 2,500 pcs$0.10598

Número da peça:
IRLL024ZTRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 55V 5A SOT223.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Módulos and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLL024ZTRPBF Atributos do produto

Número da peça : IRLL024ZTRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 380pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-223
Pacote / caso : TO-261-4, TO-261AA

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