[9pcs Estoque]
- Número da peça:
- DMP2045UFY4-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 16V DFN-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMP2045UFY4-7 electronic components. DMP2045UFY4-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMP2045UFY4-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMP2045UFY4-7 Atributos do produto
Número da peça :
DMP2045UFY4-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET P-CH 16V DFN-3
Series :
-
Status da Peça :
Preliminary
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
6.8nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
634pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
670mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
X2-DFN2015-3
Pacote / caso :
3-XDFN
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