STMicroelectronics - STP8NM50N

KEY Part #: K6399437

STP8NM50N Preços (USD) [41198pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.89891
  • 10 pcs$0.81111
  • 100 pcs$0.65194
  • 500 pcs$0.50705
  • 1,000 pcs$0.42013

Número da peça:
STP8NM50N
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Zener - Single, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP8NM50N Atributos do produto

Número da peça : STP8NM50N
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB
Series : MDmesh™ II
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 790 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 364pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 45W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB
Pacote / caso : TO-220-3

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