Infineon Technologies - IRF8304MTRPBF

KEY Part #: K6419850

IRF8304MTRPBF Preços (USD) [138363pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.51675
  • 4,800 pcs$0.51418

Número da peça:
IRF8304MTRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 28A MX.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - JFETs, Módulos de driver de energia, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - Propósito Específico ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF8304MTRPBF Atributos do produto

Número da peça : IRF8304MTRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 30V 28A MX
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 28A (Ta), 170A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4700pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DIRECTFET™ MX
Pacote / caso : DirectFET™ Isometric MX

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